La innovación puede dar origen a una nueva generación de transistores de silicio para los microprocesadores de los computadores más veloces y que consumen menos energía.

Un investigador brasileño desarrolló una tecnología para producir nanohilos de silicio que permiten a los electrones transitar a una mayor velocidad que en cualquier otro material semejante y que prometen mejorar significativamente el desempeño de los computadores.

La tecnología es resultado de un proyecto del brasileño Renato Amaral Minamisawa como investigador del Instituto Federal Suizo de Tecnología de Zúrich y fue destacada en un artículo publicado en la última edición de la revista científica Nature Communications.

Su mayor ventaja es que mejora el rendimiento de los hilos de silicio, el material que viene siendo utilizado en varios países como base para nuevas generaciones de chips de computadores y otros componentes eléctricos.

Según el brasileño, los hilos de silicio a escala nanométrica pueden aumentar la velocidad de los electrones cuando son sometidos a estrés por una elevada tensión mecánica.

Desde 2003 todos los fabricantes de microprocesadores en el mundo utilizan el silicio estresado.

Minamisawa y el investigador suizo Martin Suess consiguieron producir los hilos en un sustrato de silicio con una tensión mecánica hasta tres veces superior que la lograda por otros grupos de investigadores del mundo y por las industrias.

Los dos investigadores, mediante una combinación de técnicas, desarrollaron nanohilos de silicio con estrés de hasta 7,5 Gigas Pascal (GP), tres veces los 2 GP conseguidos como máximo por otros grupos.

"Superamos el récord de estrés en nanohilos de silicio frente a otras tecnologías desarrolladas para el mismo fin por universidades, centros de investigación e industrias de Estados Unidos, Europa y Japón", afirmó Minamisawa en declaraciones citadas en un comunicado de la Fapesp.

Los investigadores utilizaron como materia prima un sustrato industrial que cuenta con una capa de silicio ligeramente estresada sobre una capa de óxido de silicio.

Los científicos utilizaron técnicas de litografía y de corrosión para extraer de ese material hilos de silicio de 30 nanómetros de largo por 15 nanómetros de espesor.

"También por medio de técnicas de litografía desarrollamos un método que multiplica el estrés de una capa de silicio ya preestresado", dijo el investigador.

Según Minamisawa, una vez sea patentada en Europa, la tecnología podrá permitir la fabricación de una gran variedad de semiconductores con propiedades únicas para aplicaciones en las áreas de nanoelectrónica, fotónica y fotovoltaica.

Para ello los investigadores aún tendrán que desarrollar una fórmula para incorporar los nanohilos que produjeron en una estructura de transistor